最快一代的PCIe数据传输速率比起Gen 3翻倍，并减少延迟，提供卓越的读写性能
台北, July 3 (Bernama-GLOBE NEWSWIRE) -- 专业存储和内存解决方案的全球领导者ATP推出其最新的高速N601系列M.2 2280和U.2固态硬盘(SSD)，具有第四代PCIe®接口并支持NVMe™协议。新的ATP PCIe Gen 4 SSD的数据传输速率达到16 GT /s，是上一代的两倍，每个PCIe通道的带宽为2GB/s。
使用x4通道，这些SSD的最大带宽为8 GB/s，满足当今苛刻应用中对高速数据传输日益增长的需求，并使其适用于读/写密集型，任务关键型工业应用，如网络/服务器，5G，数据记录，监控和成像，其性能与市场上主流的PCIe第4代消费级SSD相当，甚至更好。
176层NAND闪存，板载DRAM提供卓越的QoS，每GB成本更低，采用顶级 512 Gbit芯片封装
N601系列基于创新的176层3D NAND闪存，采用顶级 512 Gbit芯片封装，不仅在64层技术的基础上实现了性能提升，而且还实现了价格改善，降低了每GB成本。
M.2 2280固态硬盘(SSD)的容量从240GB到3.84 TB不等，而U.2固态硬盘(SSD)的容量从960GB到7.68 TB不等，为不同的存储需求提供了更具成本效益的选择
与上一代相比，N601系列具有杰出的服务质量(QoS)评级，具有最佳的一致性和可预测性，具有更高的读/写性能，高IOPS，低写放大指数(WAI)和低延迟，这得益于其板载DRAM。与无DRAM方案相比，板载DRAM在长时间运行中提供更高的持续性能
未来就绪，长期供应保障
最大化SSD的使用寿命，以及在类似的消费级同类产品停止生产后很长一段时间内替代组件的有效性，对于企业从投资中获得最大收益非常重要。这就是为什么ATP致力于长期供货支持。
“我们很高兴推出这一基于176层三层单元(TLC) NAND闪存的新产品线。虽然有2XX+层的NAND新版本即将发布，但它们将专注于1TB和更大的密度尺寸。考虑到许多嵌入式和专业应用对中低容量SSD设备的持续需求，512 Gbit的176层3D TLC NAND仍然是最佳芯片密度。
“除了具有竞争力的价格外，这一代产品还将在所有温度范围内改善延迟和可靠性。也许对我们的客户群更重要的是，这一代将对于可预见的未来提供产品长期供货。ATP总裁兼首席执行官Jeff Hsieh表示:“我们可以自信地与需要5年以上产品长期供货规划的客户合作。”
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